High Frequency Flexible Bendable Electronics for Wireless Communication Systems (FFLexCom)
Teilprojekt: Flexibler graphenbasierter Heteroübergangs-Transistor für den Betrieb bei einigen hundert Gigahertz
In diesem Projekt soll ein vertikaler Graphen-Silizium Heteroübergang-Transistor für sehr hohe Arbeitsfrequenzen auf flexiblen Substraten realisiert werden. Die Herausforderung besteht in der Entwicklung von Hochgeschwindigkeitsbauteilen (fT) auf flexiblen Substraten ohne Zerstörung der Bauteilfunktion insbesondere bei hohen Biegebelastungen. Der in diesem Projekt zu entwickelnde Graphen/a-Si:H Heteroübergang-Transistor wird aus einer Monolage Graphen, eingebettet zwischen zwei amorphen Silizium n-Schichten, bestehen. Die Transitzeit durch die Monolage Graphen ist extrem gering. Daher könnte das Bauteil sehr hohe Grenzfrequenzen erreichen. Zusätzlich handelt es sich um einen Unipolartransistor, bei dem nur die Elektronen zum Stromtransport beitragen. Dies wiederum kann ebenso sehr hohe Bauteilgrenzfrequenzen befördern. Die PECVD-Abscheidung von Silizium auf Graphen darf die Monolage Graphen nicht beschädigen. Diese Herausforderung soll durch ein Beschichtungsverfahren mit Plasmaanregungsfrequenzen von größer als 100 MHz gemeistert werden.
Projektpartner: IHP Frankfurt/Oder
Weitere Informationen: Dr.-Ing. Carsten Strobel