Konzeption quantenmechanischer Bauelemente mit ultra-dünnen funktionalen ALD-Schichten für den Einsatz in Terahertz-Anwendungen (QualifyTHz)
Für die Realisierung quantenmechanischer Bauelemente im Terahertz-Bereich werden drei fundamentale Forschungsrichtungen beleuchtet: Zum Ersten wird das initiale Wachstumsverhalten ultra-dünner funktionaler Schichten während der Atomlagenabscheidung (ALD) an Ort und Stelle (in situ) sowie in Echtzeit untersucht. Hierfür garantiert ein in sich geschlossenes Gerätesystem mit verschiedenen Analyse-Verfahren (Photoelektronenspektroskopie, Rastersondenmikroskopie, Ellipsometrie, Massenspektrometrie) einen detaillierten Einblick in ALD-Wachstumsvorgänge bis in den sub-atomaren Bereich hinein. Zum Zweiten werden Graphen-Monolagen synthetisiert und deren vertikale Transparenz bezüglich heißer Elektronen anhand eines diodenartigen Bauelementes charakterisiert, das dem Kernstück eines tunneling-hot-electron-Transistors entspricht. Zum Dritten wird auf Basis einer bauelementnahen Prozessroute zwischen von IHM und IHP GmbH – Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik, Frankfurt (Oder), das Zusammenwirken der ultra-dünnen ALD-Schichten mit der Graphen-Monolage erforscht.1
Weitere Informationen: Dipl.-Ing. Marcel Junige
Fußnoten
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JUNIGE, M.; ODDOY, T. ; YAKIMOVA, R.; DARAKCHIEVA, V.; WENGER, C.; LUPINA, G.; KITZMANN, J. ; ALBERT, M.; BARTHA, J.; Atomic Layer Deposition of Al2O3 on NF3-pre-treated graphene. In: Ion M. Tiginyanu (Hrsg.): Nanotechnology VII : May 4-6, 2015, Barcelona, Spain. Barcelona, 2015 (Proceedings of SPIE, 9519), S. 951915 – DOI:10.1117/12.2181242