Published Journals 2008 1 bis 5 von 5 EinträgenKnaut, M.; Albert, M.; Bartha, J.W.; Schmidt, D.; Schumacher, H.; Strehle, S.: Effect of wet chemical substrate pretreatment on the growth behavior of Ta(N) films deposited by thermal ALD. In: Microelectronic Engineering 85 (2008), S. 2064–2067Naumann, A.; Kronholz, S.; Mowry, A.; Ostermay, I. ; Bierstedt, H. ; Trui, B.; Dittmar, K.; Kuecher, P.; Bartha, J.W.; Kammler, T.: Novel anhanced stressors with graded encapsulated SiGe embedded in the source and drain areas. In: Materials Science and Engineering B 154-155 (2008), S. 95–97Ostermay, I.; Kammler, T.; Naumann, A.; Bartha, J.W.; Kuecher, P.: Investigation of the relaxation behavior of Si1-xCx alloys during epitaxal UHV-CVD growth. In: Materials Science and Engineering B 154-155 (2008), S. 90–94Albert, M.; Bartha, J.W.: Atomlagenabscheidung als Werkzeug für die Nanotechnologie. In: Vakuum in der Forschung und Praxis 20(2008)1 (2008), S. 7–10Schmidt, D.; Strehle, S.; Albert, M.; Hentsch, W.; Bartha, J.W.: Top Injection Reactor Tool with in situ Spectroscopic Ellipsometry for growth and characterization of ALD thin films. In: Microelectronic Engineering 85 (2008), S. 527–533Diese Informationen werden vom Vorgängersystem FIS bereitgestellt.