Published Journals 2010 1 bis 10 von 13 EinträgenLotin, A.A.; Novodvorsky, O.A.; Khaydukov, E.V.; Glebov, V.N.; Rocheva, V.V.; Khramova, O.D.; Panchenko, V.Ya.; Wenzel, C.; Trumpaicka, N.; Chtcherbachev, K.D.: Epitaxial growth and properties of MgxZn1-xO films produced by pulsed laser deposition. In: Semiconductors 44 (2010), Nr. 2, S. 246–250Лотин, A.A.; Новодворский, O.A.; Хайдуков, E.B.; Рочева, B.B.; Храмова, О.Д.; Панченко, В.Я.; Венцель, K.; Трумпайска, H.; Щербачев, К.Д.: Эпитаксиальный рост и свойства пленок MgxZn1-xO, получаемых методом лазерно-плазменного осаждения. In: Физика и Техника Полупроводников 44 (2010), Nr. 2, S. 260–264Graham, A.P.; Richter, K.; Jay, T.; Weber, W.; Knebel, S.; Schröder, U.; Mikolajick, T.: An investigation of the electrical properties of metal-insulator-silicon capacitors with pyrolytic carbon electrodes. In: Journal of Applied Physics 108, Issue 10, 104508 (2010) (2010)Strehle, S.; Menzel, S.; Bartha, J.W.; Wetzig, K.: Electroplating of Cu(Ag) thin films for interconnect applications. In: Microelectronic Engineering 87 (2010), S. 180–186Rose, M.; Niinistö, J.; Endler, I.; Bartha, J.W.; Kücher, P.; Ritala, M.: In Situ Reaction Mechanism Studies on Ozone-Based Atomic Layer Deposition of Al2O3 and HfO2. In: Applied Materials & Interfaces 256 (2010), Nr. 2, S. 347–350Rose, M.; Bartha, J.W.; Endler, I.: Temperature dependence of the sticking coefficient in atomic layer deposition. In: Applied Surface Science 256 (2010), S. 3778–3782Neuner, J.; Zienert, I.; Peeva, A.; Preusse, A.; Kücher, P.; Bartha, J.W.: Microstructure in copper interconnects - Influence of plating additive concentration. In: Microelectronic Engineering 87 (2010), S. 254–257Ostermay, I.; Kammler, T.; Bartha, J.W.; Kücher, P.: Enhancing epitaxial SixC1_x deposition by adding Ge. In: Thin Solid Films 518 (2010), S. 2834–2838Zimmermann, T.; Strobel, C.; Albert, M.; Beyer, W.; Gordijn, A.; Flikweert, A.J.; Kuske, J.; Bartha, J.W.: Inline deposition of microcrystalline silicon solar cells using a linear plasma source. In: Phys. Status Solidi C 7 (2010), Nr. 3-4, S. 1097–1100Schmidt, D.; Knaut, M.; Hossbach, C.; Albert, M.; Hintze, B.; Dussarrat, C.; Bartha, J.W.: Atomic Layer Deposition of Ta-N-Based Thin Films Using a Tantalum Source. In: Journal of The Electrochemical Society 157 (2010), S. 638–642 1 2 WeiterDiese Informationen werden vom Vorgängersystem FIS bereitgestellt.