Treffen

Agenda

Vorträge:

• Welcome and short NVM update 
  (T. Mikolajick, TU Dresden/NaMLab)
• MRAM
  (J. Müller, GlobalFoundries)
• MRAM by Fraunhofer CNT
  (Fraunhofer IPMS CNT)
• A Resistive Switching Device Based on Conductive Ferroelectric Domain Walls in AlScN
  (S. Fichtner, Uni Kiel)
• Ga2O3 as a mixed ionic electronic conductor for memristive devices
  (O. Toprak, HZB Berlin)
• Towards Neuromorphic Computing Using HfO2 Based Memristive Devices
  (C. Wenger, IHP Frankfurt/Oder )
• Finding Critical Parameters for an Analog Switching Memristor Based on Silicon Suboxide and Copper
  (R. Lambrecht, Uni Kiel)
• Ferroelectric Devices and Materials
  (K. Seidel, Fraunhofer IPMS CNT)

Agenda

Vorträge:

• Welcome and short NVM update 
  (T. Mikolajick, TU Dresden/NaMLab)
• Ferroelectric device engineering for beyond- von Neumann computing 
  (S. Slesazeck, NaMLab gGmbH)
• Optimization and Integration of Ferroelectric Materials in BEOL
  (D. Lehninger, Fraunhofer IPMS/CNT)
• Engineering materials for the transition to analog memristive devices
  (E. Piros, )
• Magnetic skyrmions: a candidate for data storage applications?
  (F. Büttner, )
• Impedance specroscopy and HAXPES on memristive devices
  (F. Zahari, )

Agenda

Vorträge:

• Update on Non-Volatile Memories
  (T. Mikolajick, TU Dresden/NaMLab)
• Epitaxial chalcogenide-based thin films and heterostructures 
  (A. Lotnyk, IOM Leipzig)
• Investigation of bipolar resistive switching mechanisms in Ge2Sb2Te5 thin films using different electrode materials
  (H. Bryja, IOM Leipzig)
• Are electroforming-free memristors prospective for machine learning? 
  (H. Schmidt, TU Chemnitz)
• Learning Algorithms in CMOS-integrated HfO₂ arrays
  (C. Wenger, ihp Frankfurt/Oder)
• Correlation between sputter deposition parameters and I-V curves in memristive devices
  (F. Zahari, Uni Kiel)
• Impedance spectroscopy of tunnel junctions with adjacent solid-state electrolyte layer 
  (R. Marquardt, Uni Kiel)
• Oxygen and grain boundary engineering in HfO2-based memristors
  (S. Petzold, A. Zintler, TU Darmstadt)

Agenda

Vorträge:

• New Development in Racetrack Memories
  (S. Parkin, MPI of Microstructure Physics Halle)
• Non Volatile Memories - Automotive Quality and Reliability Aspects
  (J. Samm, Bosch)
• Advantages of X-FAB SONOS Technology
  (S. Thiem, X-FAB)
• Technology and characterization of EEPROM cells in a memristive configuration for neuromorphic applications
  (H. Winterfeld, Christian-Albrechts-Universität Kiel)
• Progress in the epitaxial growth of Nb₂O₅ and NbO₂
  (J.E. Boschker, Leibniz IKZ Berlin)
• Self-Sustaining Sensors Principles using Piezoelectric Converters and Memristive Memories
  (M.H. Nguyen, Technische Universität Chemnitz)
• Differentiation of resistive switching mechanisms in vanadiumoxide thin films
  based on their switching characteristics
  (D. Wouters, RWTH Aachen)
• HfO₂ based RRAM for emerging applications
  (E. Perez, Leibniz IHP Frankfurt/Oder)
• HfO₂ based RRAM: Thin film model structures
  (E. Piros, Technische Universität Darmstadt)
• The FeFET memory: Material integration and device physics
  (T. Ali, Fraunhofer IPMS Dresden)
• Anti-ferroelectric Random Access Memory
  (T. Mikolajick, NaMLab/TU Dresden)

Agenda

Vorträge:

• Welcome to Johannes Gutenberg University Mainz and Introduction
  (M. Kläui, Johannes Gutenberg University Mainz)
• NVM-Update
  (T. Mikolajick, NaMLab/TU Dresden)
• Huawei Introduction and Interest in Non-Volatile Memories
  (T. Wipiewski, Emerging Storage Media Application Lab, Huawei European Research Institute)
• Doped HfO₂ and implanted TiO₂-based memory devices
  (C. Dubourdieu)
• Resistive Switching Dynamics in Memristive BiFeO₃ Devices
  (N. Du, Fraunhofer ENAS, Chemnitz)
• Memristive BFO as artificial synapse in machine learning circuits
  (M. Kiani, TU Chemnitz)
• Sub-Loop Switching in Tantalum Oxide-Based ReRAM
  (D. Wouters, RWTH Aachen)
• Atomic layer deposition of germanium-antimony-tellurium with halogen-free precursors
  (M. Silinskas, Otto-von-Guerike Universität Magdeburg)
• Electrical performance of phase change memory cells with textured GeTe/Sb₂Te₃superlattices
  (J. Boschker, Leibniz-Institut für Kristallzüchtung IKZ, Berlin)
• Writing and Reading Antiferromagnetic Mn₂Au: Neel Spin Orbit Torques and Large Anisotropic Magnetoresistance
  (M. Jourdan)

Agenda

Vorträge

• NVM-Update
  (T. Mikolajick, NaMLab/TU Dresden)
• Introduction of Chair of Semiconductor Technology at OvG Univ. Magdeburg 
  (E. Burte, Otto-von-Guerike Universität, Magdeburg)
• Fabrication and Characterization of 3-dimensional ferroelectric capacitors for FeRAM applications
  (S. Silinskas, Otto-von-Guerike Universität Magdeburg)
• Introduction of Kläui Lab in Mainz
  (M. Kläui, Johannes-Gutenberg-Universität Mainz)
• Introduction of MPI Dresden and Halle 
  (C. Felser, MPI for Chemical Physics of Solids, Dresden)
• Oxygen engineered Hf and Ta-oxide based ReRAM
  (L. Alff, TU Darmstadt)
• Switching performance of HfO₂-based resistive memory arrays
  (C. Wenger)
• Resistive Switching in Cr-doped VOx thin films
  (D. Wouters, RWTH Aachen)
• A quantum mechanical memristive device for neuromorphic computing
  (M. Ziegler, CAU Kiel)
• Memristive Devices for Self Sustaining Sensor Systems
  (S. Zimmermann, Fraunhofer ENAS, Chemnitz)
• BiFeO₃-based, analog resistive switches for neuromorphic computing
  (H. Schmidt, TU Chemnitz)

Agenda

Vorträge

• Neues aus dem Fachbereich 1.3
  (T. Mikolajick, NaMLab/TU Dresden)
• 10 Jahre AK Materialien für nichtflüchtige Speicher
  (T. Mikolajick, NaMLab/TU Dresden)
• Magnetically Perpendicular Magnetic Tunnel Junctions for TAS-STT-MRAM
  (G. Reiss, Universität Bielefeld)
• Memristive devices for neuromorphic systems
  (M. Ziegler, Christian-Albrechts-Universtät zu Kiel)
• The QD-Flash: Quantum dots for memories 
  (L. Bonato, TU Berlin)
• Ergebnisse des Projektes Cool E3NVM
  (S. Buschbeck, Anvo-Systems, Dresden)
• On the Voltage Scaling Potential of SONOS Non-Volatile Memory Transistors
  (J. Ocker, NaMLab, Dresden)
• Drei-wertige Logiken mittels Multi-stabiler Speicherelemente
  (D. Fey, FAU Erlangen-Nürnberg)
• Technologische Aspekte der CMOS kompatiblen Integration von HfO2 basierten 1T-1R Zellen
  (C. Wenger, ihp, Frankfurt/Oder)

Agenda + Protokoll

Vorträge

• Nonvolatile Memory Update
  (T. Mikolajick, NaMLab/TU Dresden)
• Memristive Tunnel Junctions
  (A. Thomas, Universität Bielefeld)
• Design and Material Aspects of ReRam Memory
  (F. Kreupl, TU München)
• HfO2-based memories: Resistive switching and current status
  (C. Walczyk, IHP, Frankfurt/Oder)
• Memristive Tunnel Junctions
  (H. Kohlstedt, CAU Kiel)
• Nonvolatile reconfigurable logics using memristors
  (T. You, TU Chemnitz und Helmholtz Zentrum Dresden-Rossendorf)
• Implementing memristors in reconfigurable logic gates
  (S.G. Ramesh, TU Chemnitz)
• Nonvolatile unipolar resistive switching in YMnO3 thin films
  (A. Bogusz, TU Chemnitz und Helmholtz Zentrum Dresden-Rossendorf)
• Charge trapping in YMnO3-coated MIS diodes
  (O.S. Choudhary, TU Chemnitz und Helmholtz Zentrum Dresden-Rossendorf)
• Charakterisierung SONOS-NV-Speicher vom Kondensator zum Array
  (J. Ocker, NaMLab, Dresden)
• Cool E³NVM – SONOS-Integration in 90nm CMOS
  (V. Beyer/S. Buschbeck, Fraunhofer IPMS-CNT, Dresden/Anvo-Systems Dresden GmbH)
• Ergebnisse des Mini-Workshops “Elektrische NVM Charakterisierung”
  (H. Mähne, NaMLab, Dresden)

Agenda + Protokoll

Vorträge

• Institut für Nanoelektronik der TUHH
  (W. Krautschneider, TU Hamburg-Harburg)
• Recent Trends in Nonvolatile Memories
  (T. Mikolajick, NaMLab/TU Dresden)
• Strained, ferroelectric alkaline-niobate films
  (J.Schwarzkopf, Leibniz-Institut für Kristallzüchtung IKZ, Berlin)
• Electric Field Cycling Behavior of Ferroelectric Sr:HfO2
  (T. Schenk, NaMLab, Dresden)
• Interplay of polaronic transport and resistive switching in cross plane Pt-Pr0.67Ca0.33MnO3-Pt heterostructures
  (M. Scherff, Universität Göttingen)
• Resistive switching characteristics in HfO2-based structures
  (C. Walczyk, IHP, Frankfurt/Oder)
• An electronic implementation of amoeba anticipation: a simple memristive circuit to mimic a biological system
  (M. Hansen, CAU Kiel)
• Memristive operation mode of floating gate transistors: A two-terminal MemFlash-cell
  (M. Ziegler, CAU Kiel)
• A new approach to talented reconfigurable nonvolatile logics
  (H. Schmidt, Helmholtz-Forschungszentrum, Dresden-Rossendorf / TU Chemnitz)

Agenda

Vorträge

• Charakterisierung hochzuverlässiger nichtflüchtiger Speicherzellen
  (S. Buschbeck, Anvo-Systems. Dresden)
• TANOS Flash Memory Device Development - Material / Device integration and characterization
  (V. Beyer, Fraunhofer CNT, Dresden)
• Tunnel Junctions for memresistive Devices
  (H. Kohlstedt, CAU Kiel)
• Bipolares nichtflüchtiges Widerstandsschalten in BiFeO3-Dünnfilmen
  (H. Schmidt, TU Chemnitz)
• HAXPES – an innovative, non-destructive technique for RRAM studies 
  (M. Sowinska, ihp, Frankfurt/Oder)
• Hafnium-oxid basierte CMOS kompatible Ferroelektrika
  (S. Slesazeck, namlab, Dresden)
• Carbon-based resistive memory
  (F. Kreupl, TU München)

Agenda

Vorträge

• Lehrstuhl für Nanoelektronik CAU Kiel
  (H. Kohlstedt, CAU Kiel)
• NAND Flash: Status and Trends
  (T. Mikolajick, TU Dresden and NaMLab GmbH, Dresden)
• Material Requirements for Low Power High Density nvSRAMs
  (S. Buschbeck, Anvo-Systems, Dresden)
• Automotive Requirements for NVM
  (H. Haberla, X-Fab, Dresden)
• Analytics for thin layer and interface characterization at Fraunhofer CNT
  (L. Wilde, Fraunhofer CNT, Dresden)
• Kleine Führung durch den Resistive Switching Zoo
  (R. Waser, RWTH Aachen)
• Grenzflächencharakterisierung von Ti/HfO2 basierten MIM Dioden
  (C. Walczyk)
• Zuverlässigkeit von Gateoxiden im Nanometermaßstab mittels Kombination von cAFM und CVS
  (T. Erlbacher, Fraunhofer IISB, Erlangen)
• Evaluation of measuring techniques for characterization of charge trapping materials for memory applications
  (E. Yurtschuk, NaMLab GmbH, Dresden)

Agenda (mit Kurzprotokoll)

Vorträge

• Vorstellung Advanced Nonvolatile Systems
  (Dr. S. Buschbeck, Anvo-Systems, Dresden)
• ELMOS - Smart Power CMOS Technologien
  (T. Kleinig, ELMOS)
• Vorstellung Fraunhofer CNT
  (M. Czernohorsky, Fraunhofer CNT, Dresden)
• Embedded HfO₂ Based Non-Volatile Memory Cells
  (Dr. habil. C. Wenger, IHP, Frankfurt/O.)
• Schichten hoher Dielektrizitätskonstante im Steueroxid ladungsbasierter nichtflüchtiger Speicherzellen
  (Dr. T. Erlbacher, Fraunhofer IISB, Erlangen)
• Hole-based memory operation in quantum dot based III-V heterostructures
  (A. Marent, AG Bimberg, TU Berlin)
• Organische Speicher
  (B. Lüssem, IAPP, TU Dresden)
• MRAM - neue Entwicklungen, neue Chancen
  (Dr. W. Maass, B. Ocker, Singulus)
• Magnetische Speicher
  (J. Fassbender, Forschungszentrum Dresden-Rossendorf)

Agenda (mit Kurzprotokoll)

Vorträge

• A Scalable, Low-Power, Non-Volatile Memory Technology Based on Solid-State Electrolytes
  (Dr. M. Kund, Qimonda AG)
• Low current resistive switching in Ag-Ge-Se and Cu-SiO₂
  (Dr. C. Schindler, Research Center Jülich)
• ITRS Roadmap - General Subjects and NVM Schedule
  (Dr. G. Tempel, Infineon AG)
• On the Origin of Bistable Resistive Switching in Metal Organic Charge transfer Complex Memory Cells
  (T. Kever, RWTH Aachen)
• Redox-based resistive switching effects
  (Prof. Dr. R. Waser, RWTH Aachen)
• Glass Transition and Crystallization in Phase Change Materials
  (M. Salinga, RWTH Aachen)

Agenda mit Kurzprotokoll

Vorträge

• Vorstellung des IESM
  (Prof. Dr. T.Mikolajick, TU Freiberg, IESM)
• X-FAB, an analog/mixed-signal and specialty foundry
  (Dr. H. Haberla, X-Fab)
• Charge Trapping Memories-63nm TwinFlash Cells with Nanoscale CoSi₂ Buried Bitlines
  (Dr. T. Müller, Qimonda AG)
• Hoch-ε Interpoly-Dielektrikum für Floating Gate Speicher
  (Dr. R. Kakoschke)
• Ein quantenpunktbasierter Halbleiterspeicher
  (Dr. M. Geller)
• Organische Speicher
  (Prof. Dr. M. Halik, Uni Erlangen, OMD)
• PVDF Schichten als nicht-flüchtige Speicher
  (Prof. Dr. D. Schmeißer, BTU Cottbus)

Agenda mit Kurzprotokoll

Vorträge

• Singulus-Aktivitäten zu Materialien für MRAM-Speicher
  (Dr. Wolfgang Maass, Singulus AG)
• Flash Scaling Trends
  (Dr. T. Mikolajick, Qimonda AG)
• Untersuchung der lateralen Ladungsverteilung in NROM-Speicherschichten
  (O. Klar, Universität Erlangen)
• Einsatz von hoch-ε Materialien in ladungsbasierten NVMs
  (T. Erlbacher, Universität Erlangen)
• SiO2-Schichtsysteme mit kontrolliert eingebetteten GE-Nanoclustern
  (K. Dürkopp, Universität Hannover)
• Scalability of Ferroelectric non-volatile Random Access Memories 
  (D. Bräuhaus, RWTH Aachen, IWET)
• Scalability issues for MRAM
  (Prof. G. Reiss, Universität Bielefeld)

Agenda

Vorträge

• Marktanforderungen an Flash Speicher zur Datenspeicherung 
  (Dr. T. Mikolajick, Infineon)
• Market Requirements for nvSRAM 
  (Dr. S. Günther, ZMD)
• SONOS Process Development for nvSRAM
  (Dr. E. Voitintseva, ZMD)
• Qualification of NVM Memories 
  (Dr. G. Tempel, Infineon)
• Untersuchung des Degradationsverhaltens von Tunneloxiden für nicht-flüchtige Speicher 
  (G. Krause, Universität Hannover)
• Zuverlässigkeit von FERAM
  (Dr. U. Böttger, RWTH Aachen, IWET)
• Zuverlässigkeit von MRAM (und Logik) 
  (Prof. G. Reiss, Universität Bielefeld)
• Lifetime limits of PhaseChange-RAM
  (Dr. H. Dieker, RWTH Aachen, I. Physikalisches Institut / IA)
• Zuverlässigkeit organischer Materialien am Beispiel organischer Leuchtdioden 
  (Dr. K. Walzer, TU Dresden, Institut für Angewandte Physik / Photophysik)

Summary

Vorträge

• NVM Forschung bei Infineon Technologies 
  (Dr. T. Mikolajick, Infineon)
• A Short Introduction to Floating Gate and TwinFlash Reliability Issues 
  (Dr. G. Tempel, Infineon)
• Overview non-volatile memory 
  (Dr. S. Buschbeck, ZMD)
• Tunneloxid- und Nanocluster-Forschung am IHW 
  (Prof. K. Hofmann, Universität Hannover)
• Nanoscale Ferroelectrics
  (Dr. M. Alexe, MPI Halle)
• FERAM and Resistive Switching at the RWTH Aachen
  (Dr. U. Böttger, RWTH Aachen, IWET)
• MRAM and related in Bielefeld 
  (Prof. G. Reiss, Universität Bielefeld)
• Materialien für Molekularspeicher am FZ Karlsruhe
  (Prof. M. Mayor, FZ Karlsruhe)
• Material-Research for PC-Storage
  (Dr. C. Steimer, RWTH Aachen, LS für neue Materialien)
• Arbeiten / Ideen zu Organischen Speichern an der TU Chemnitz
  (Dr. G. Salvan, TU Chemnitz)
• Speicherrelevante Forschungsthemen am LEB/IISB Erlangen 
  (M. Jank, Universität / FhG IISB Erlangen)