Teilprojekt A06

2. Förderperiode

Ferekristalle: Nichtepitaktisches Schichtwachstum von 2D Materialien durch Atomlagenabscheidung

Im Projekt wird eine Materialklasse von gestapelten topologischen Isolatoren (TIs) und nicht-vdW 2DMs, so genannte Ferekristalle, durch Atomlagenabscheidung (engl.: atomic layer deposition (ALD)) hergestellt. Als Grundlage wurden dünne TI-Filme (< 10 nm) aufgrund ihrer 2D Natur und ihrer überlegenen elektronischen Eigenschaften ausgewählt, wie z. B. die hohe Mobilität der Ladungsträger aufgrund hochleitfähiger Kristallgrenzflächen. Das Projekt wird einen neuen Weg einschlagen, indem Ferekristalle auf der Basis von TIs und leitfähigen organischen Zwischenschichten gezüchtet werden. Für beide Ferekristallsysteme werden Messplattformen für den ebenenübergreifenden Transport thermoelektrischer Eigenschaften entwickelt.

1. Förderperiode

Ferekristalle: Nichtepitaktisches Schichtwachstum von 2D Materialien durch Atomlagenabscheidung

Diese Projekt befasst sich mit der Herstellung von sogenannten Ferekristallen, d.h. gestapelten Metallmonochalkogeniden (engl.: MMCs = metal monochalcogenides), topolighschen Isolatoren (TIs) und/oder Übergangsmetalldichalkogeniden (engl.: TMDCs = transition metal dichalcogenides), via Atomlagenabscheidung. Die ausgewählten Basissysteme bestehen aus TMDCs wie TiSe₂ oder NbSe₂, TI-Materialien wie Bi₂Se₃ oder Sb₂Te₃ und kubischen MMCs wie CdSe, ZnSe, TeS oder SnSe. Darüber hinaus wird die Untersuchung der strukturellen Ordnung der Heterostrukturen und ihrer Eigenschaften in elektrischen und magnetischen Feldern behandelt.

Teilprojektleitender

Prof. Dr. Kornelius Nielsch