DIE ARBEITSGRUPPE STELLT SICH VOR
Unser Forschungsschwerpunkt liegt auf den optischen und elektrischen Eigenschaften kristalliner Halbleiter und deren Zusammenhang mit der Gitterstruktur. Es werden sowohl grundlegende als auch angewandte Fragestellungen untersucht.
Spezielle Ausstattung
Systeme zur Identifizierung elektrisch aktiver Defekte in Halbleitern: DLTS, CV ,IV, Hall-Effekt-Messungen, Photolumineszenz und Raman-Spektroskopie bei variablen Temperaturen und unterschiedlichen Laseranregungen; Fourier-Transform-Infrarot-Absorptionsspektroskopie und Photostromspektroskopie zur Detektion lokaler Schwingungsmoden und elektronischer Übergänge von Defekten vom fernen Infrarot bis zum UV-Bereich; Gleichstrom- und Hochfrequenzplasma-Setups für die Wasserstoffbehandlung im Temperaturbereich von Raumtemperatur bis 1200°C; eine Vielzahl von Öfen zur thermischen Behandlung von Proben in verschiedenen Umgebungen von Raumtemperatur bis 1400°C; Chemisches Labor zur Prozessierung von Halbleiterproben.