Spezielle Ausstattung

Systeme zur Identifizierung elektrisch aktiver Defekte in Halbleitern: DLTS, CV ,IV, Hall-Effekt-Messungen, Photolumineszenz und Raman-Spektroskopie bei variablen Temperaturen und unterschiedlichen Laseranregungen; Fourier-Transform-Infrarot-Absorptionsspektroskopie und Photostromspektroskopie zur Detektion lokaler Schwingungsmoden und elektronischer Übergänge von Defekten vom fernen Infrarot bis zum UV-Bereich; Gleichstrom- und Hochfrequenzplasma-Setups für die Wasserstoffbehandlung im Temperaturbereich von Raumtemperatur bis 1200°C; eine Vielzahl von Öfen zur thermischen Behandlung von Proben in verschiedenen Umgebungen von Raumtemperatur bis 1400°C; Chemisches Labor zur Prozessierung von Halbleiterproben.