Die Arbeitsgruppe stellt sich vor
Unsere Forschung konzentriert sich auf die optischen und elektrischen Eigenschaften kristalliner Halbleiter und ihren Zusammenhang mit der Gitterstruktur. Dabei werden sowohl fundamentale als auch angewandte Fragestellungen untersucht.
Spezielle Ausstattung
Anlagen zur Identifizierung elektrisch aktiver Defekte in Halbleitern: DLTS, CV, IV, Hall-Effekt; optische Messplätze zur Bestimmung von Photolumineszenz (Zeitauflösung bis 1 ns) und Ramanspektren bei variablen Temperaturen und verschiedenen Laseranregungen; Fourierinfrarotspektrometer zum Nachweis von lokalen Schwingungsmoden und elektronischen Übergängen an Defekten in Halbleitern; Bedampfungsanlagen für HV- und UHV-Bedingungen.
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