Genesis - Neue p-Dotierstoffe für verbesserte Ladungsträgererzeugungsschichten (Charge-Generation- Units/CGUs) in organischen Leuchtdioden (OLEDs)
Laufzeit: 15.08.26-15.12.28
Fördersumme: 239.969,84€
Geldgeber: SAB
Förderkennzeichen: 100793005
Kurzbeschreibung: In leistungsfähigen, modernen OLED-Displays kommen
gestapelte OLED-Bauteilarchitekturen zum Einsatz. Für
einen energieeffizienten Betrieb sind
Ladungsträgererzeugungsbauteile (CGUs) erforderlich, die
OLEDs vertikal in Serie verbinden. Für CGUs werden
hochdotierte n- und p-Schichten benötigt. In diesem
Verbundprojekt wird das IAP die Physik dieser organischen
p/n-Übergänge grundlegend untersuchen und in
Zusammenarbeit mit der CREDOXYS GmbH neue p-
Dotanden für leistungsfähige CGUs erforschen.
Kontakt:
© Kai Schmidt /IAP
Prof. Dr. Karl Leo
Professor für Optoelektronik
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