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Novel anhanced stressors with graded encapsulated SiGe embedded in the source and drain areas
Typ der Veröffentlichung
Zeitschriftenaufsatz
Veröffentlicht in
Materials Science and Engineering B 154-155
Schlagwörter
SiGe, CMOS, Stressor, Epitaxy, Erosion, CVD
Jahrgang/Erscheinungsjahr
2008
Seiten
95-97
Referiert
Nein
Url/Urn/Doi
http://
Berichtsjahr
2008
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