Veröffentlichte Journale
Enhancing epitaxial SixC1_x deposition by adding Ge
Typ der Veröffentlichung
Zeitschriftenaufsatz
Veröffentlicht in
Thin Solid Films
Schlagwörter
Strained silicon, Epitaxy, Ultral-highvacuum chemical vapor deposition, Complementary metal oxide semiconductor
Jahrgang/Erscheinungsjahr
2010
Band/Vol.
518
Seiten
2834-2838
Referiert
Ja
Url/Urn/Doi
10.1016/j.tsf.2009.08.045
Berichtsjahr
2009
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