Veröffentlichte Journale
Void formation in the Cu layer during thermal treatment of SiNx/Cu/Ta73Si27/SiO2/Si systems
Typ der Veröffentlichung
Zeitschriftenaufsatz
Veröffentlicht in
Cryst. Res. Technol. 40, No. 1/2
Jahrgang/Erscheinungsjahr
2005
Seiten
135-142
Referiert
Nein
Zugeordnete Forschungsschwerpunkte
- * Kupfermetallisierung/Diffusionsbarrieren/Isolatoren mit niedriger und hoher Dielektrizitätskonstante
Berichtsjahr
2005
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