Veröffentlichte Journale
Effect of nitrogen content on the degradation mechanisms of thin Ta–Si–N diffusion barriers for Cu metallization
Typ der Veröffentlichung
Zeitschriftenaufsatz
Veröffentlicht in
Thin Solid Films 497 (2006) in press
Jahrgang/Erscheinungsjahr
2005
Vermerk
Neuerscheinung
Referiert
Nein
Zugeordnete Forschungsschwerpunkte
- * Kupfermetallisierung/Diffusionsbarrieren/Isolatoren mit niedriger und hoher Dielektrizitätskonstante
Berichtsjahr
2005
Export
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