Veröffentlichte Journale
Buried Triple-Gate Structures for Advanced Field-Effect Transistor Devices
Typ der Veröffentlichung
Zeitschriftenaufsatz
Veröffentlicht in
Microelectronic Engineering
Schlagwörter
Electrostatic doping, Buried triple-gate structure, Band-to-band tunneling, Graphene nanoribbon FET
Jahrgang/Erscheinungsjahr
2014
Band/Vol.
119
Seiten
95-99
Referiert
Ja
Open Access
Nein
Url/Urn/Doi
Berichtsjahr
2014
Export
Journal Archiv:
2015 | 2014 | 2013 | 2012 | 2011 | 2010 | 2009 | 2008 | 2007 | 2006 | 2005