Dr.-Ing. Benjamin Max

© Martin Knaut (TU Dresden)

Gruppenleiter

Name

Herr Dr.-Ing. Benjamin Max

Halbleiterprozesse, -bauelemente und -integration

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Kontaktinformationen

Organisationsname

Professur für Nanoelektronik

Professur für Nanoelektronik

Adresse work

Besuchsadresse:

Mierdel-Bau, Raum 206 Nöthnitzer Str. 64

01187 Dresden

work Tel.

Arbeits- und Forschungsbereiche

• Resistive und ferroelektrische Schalteffekte in HfO₂/HZO-basierten Bauelementen, z.B. filamentäres Schalten in RRAM/FeRAM-Kondensatoren und zweilagige ferroelektrische Tunnelkontakte (FTJs)
• Design/Entwurf, Abscheidung (PVD, ALD) sowie physikalische und elektrische Charakterisierung der Kondensator-Teststrukturen
• Untersuchung von biologisch inspiriertem Rechnen in memristiven Crossbar-Strukturen
  - neuromorphes Verhalten von HZO-basierten FTJs für Anwendung in SNN's (Depression/Potentiation, STDP, ...)
  - neuromorphes Rechnen in Transistor-Crossbar-Arrays mit funktionalisiertem (memkapazitivem) NbO_x/AlO_x-Gateoxid 
• monolithische 3D-Integration von Halbleiterstrukturen
• Quantenpunkt-basierte Flash-Speicherzellen (QD-Flash)

Expertise

• Dünnschichttechnologien: PVD, CVD, ALD
• Nasschemie
• Lithographie
• elektrische Messtechnik + Charakterisierung: (gepulste) I-V, C-V, resistive/ferroelektrische Messungen (P-V Hysterese, Zyklenfestigkeit, Datenhaltung, Schalteffekte), temperaturabhängige Messungen
• Hochtemperatur-Prozessierung: nass/trocken-Oxidation, Dotierung durch Diffusion, Annealing
• Rasterkraftmikroskopie: AFM/PFM

Lehrveranstaltungen

• Übungsleiter Grundstudium Elektrotechnik
  - ET1 "Grundlagen der Elektrotechnik"
  - ET2 "Elektrische und Magnetische Felder"
  - ET3 "Dynamische Netzwerke"
• Übungsleiter "Elektrotechnik für Maschinenbau"
• Übungs- und Praktikumsleiter "Memory Technology" (engl.)
• Praktikumsbetreuer "Halbleitertechnologie" (dt. + engl.)