Dr.-Ing. Benjamin Max
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Herr Dr.-Ing. Benjamin Max
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Besuchsadresse:
Mierdel-Bau, Raum 206 Nöthnitzer Str. 64
01187 Dresden
Arbeits- und Forschungsbereiche
- Resistive und ferroelektrische Schalteffekte in HfO2/HZO-basierten Bauelementen, z.B. filamentäres Schalten in RRAM/FeRAM-Kondensatoren und zweilagige ferroelektrische Tunnelkontakte (FTJs)
- Design/Entwurf, Abscheidung (PVD, ALD) sowie physikalische und elektrische Charakterisierung der Kondensator-Teststrukturen
- Untersuchung von biologisch inspiriertem Rechnen in memristiven Crossbar-Strukturen
- neuromorphes Verhalten von HZO-basierten FTJs für Anwendung in SNN's (Depression/Potentiation, STDP, ...)
- neuromorphes Rechnen in Transistor-Crossbar-Arrays mit funktionalisiertem (memkapazitivem) NbOx/AlOx-Gateoxid - monolithische 3D-Integration von Halbleiterstrukturen
- Quantenpunkt-basierte Flash-Speicherzellen (QD-Flash)
Expertise
- Dünnschichttechnologien: PVD, CVD, ALD
- Lithographie
- elektrische Messtechnik + Charakterisierung: (gepulste) I-V, C-V, ferroelektrische Messungen (P-V Hysterese, Zyklenfestigkeit), temperaturabh. Datenhaltung
- Hochtemperatur-Prozessierung: nass/trocken-Oxidation, Diffusion, Annealing
- Rasterkraftmikroskopie: AFM/PFM
Lehrveranstaltungen
- Übungsleiter Grundstudium Elektrotechnik
- ET1 "Grundlagen der Elektrotechnik"
- ET2 "Elektrische und Magnetische Felder"
- ET3 "Dynamische Netzwerke" - Übungsleiter "Elektrotechnik für Maschinenbau"
- Übungs- und Praktikumsleiter "Memory Technology" (engl.)
- Praktikumsbetreuer "Halbleitertechnologie (PVD)"