Dr.-Ing. Benjamin Max

© Martin Knaut (TU Dresden)

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Mr Dr.-Ing. Benjamin Max

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Chair of Nanoelectronics

Chair of Nanoelectronics

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Mierdel-Bau, Room 206 Nöthnitzer Str. 64

01187 Dresden

https://tu-dresden.de/ing/elektrotechnik/ihm/NEM/die-professur/beschaeftigte/benjamin-max

work Tel.

Arbeits- und Forschungsbereiche

• Resistive und ferroelektrische Schalteffekte in HfO₂/HZO-basierten Bauelementen, z.B. filamentäres Schalten in RRAM/FeRAM-Kondensatoren und zweilagige ferroelektrische Tunnelkontakte (FTJs)
• Design/Entwurf, Abscheidung (PVD, ALD) sowie physikalische und elektrische Charakterisierung der Kondensator-Teststrukturen
• Untersuchung von biologisch inspiriertem Rechnen in memristiven Crossbar-Strukturen
  - neuromorphes Verhalten von HZO-basierten FTJs für Anwendung in SNN's (Depression/Potentiation, STDP, ...)
  - neuromorphes Rechnen in Transistor-Crossbar-Arrays mit funktionalisiertem (memkapazitivem) NbO_x/AlO_x-Gateoxid 
• monolithische 3D-Integration von Halbleiterstrukturen
• Quantenpunkt-basierte Flash-Speicherzellen (QD-Flash)

Expertise

• Dünnschichttechnologien: PVD, CVD, ALD
• Lithographie
• elektrische Messtechnik + Charakterisierung: (gepulste) I-V, C-V, ferroelektrische Messungen (P-V Hysterese, Zyklenfestigkeit), temperaturabh. Datenhaltung
• Hochtemperatur-Prozessierung: nass/trocken-Oxidation, Diffusion, Annealing
• Rasterkraftmikroskopie: AFM/PFM

Lehrveranstaltungen

• Übungsleiter Grundstudium Elektrotechnik
  - ET1 "Grundlagen der Elektrotechnik"
  - ET2 "Elektrische und Magnetische Felder"
  - ET3 "Dynamische Netzwerke"
• Übungsleiter "Elektrotechnik für Maschinenbau"
• Übungs- und Praktikumsleiter "Memory Technology" (engl.)
• Praktikumsbetreuer "Halbleitertechnologie (PVD)"