Forschungsfelder

Atomlagenprozessierung (ALD)

Thermische, plasma-gestützte und Blitzlampen-unterstützte Atomlagenabscheidung (ALD) und Atomlagenätzung (ALE) mit in situ und in vacuo Schicht-/Wachstumscharakterisierung und Prozess-Monitoring (QCM, XPS, AFM, Ellipsometrie)
Grundlegende Untersuchungen zum Schichtwachstum bei der Atomlagenabscheidung von Metallen, Isolatoren und funktionalen Schichten

Herstellung und Charakterisierung von rekonfigurierbaren Bauelementen auf Basis von 2D-Materialien
Nicht-flüchtige Bauelemente für neuromorphes Rechnen mit 2D-Materialien (MoS₂, WSe₂, hBN, Graphen)

Integration verschiedener neuartiger funktionaler Elemente (Transistoren, Memristoren, ...) für die Entwicklung eines aktiven Back-End-of-Line für die zukünftige Halbleitertechnologie
Design/Architektur und Prozessierung von dreidimensionalen und vertikal integrierten Bauelementen
Herstellung und Optimierung von Kontakten, vertikalen/horizontalen Verdrahtungen und Interconnects

Elektrolytische Abscheidung aus einem Elektrolyttropfen (meniscus confined electrochemical deposition, MCED) – Mitentwicklung eines MCED-Moduls, Optimierung der Elektrolyt-Zusammensetzung für die MCED von Kupfer- und Goldstrukturen
Strukturierte Metallabscheidung auf Quarzglaswafern zum Aufbau einer Multilayer-Platine für Hochfrequenzanwendungen: Kupfer-Mikrostrukturierung durch Fotolithographie und Ätzverfahren sowie stromlose Beschichtung mit Nickel und Gold (ENIG)
Anwendung und Weiterentwicklung von elektroanalytischen Untersuchungsmethoden (CV/CVS, EIS, RDE, SDC)
Entwicklung von Ätzverfahren

Materialentwicklung und –charakterisierung für nichtflüchtige memristive Kondensatorzellen und deren Anwendung als Speicher oder Logic-In-Memory-Einheit

Herstellung von Neurotransistor-basierten Crossbar-Strukturen mit memkapazitiven/memristiven Eigenschaften für biologisch inspiriertes Rechnen
IGZO-basierte Transistoren/Memristoren
3D-Integration
Zuverlässigkeitsanalysen von neuartigen Halbleiterbauelementen