ALDRAM

Optimierte ALD-Prozesse für High-k RRAM-Zellen (ALDRAM)

Fördermittelgeber 
Taiwan/European Semiconductor Manufacturing Company Limited (TSMC/ESMC)
Projektträger
Taiwan/European Semiconductor Manufacturing Company Limited (TSMC/ESMC)
Fördersumme
360.000€
Laufzeit
2026-2028
Projektnummer 
Joint Development Project
Kooperationspartner
TSMC
Kontaktperson(en)
Dr. Martin Knaut, Dr. Carsten Strobel

Dieses Projekt untersucht die Anpassung des resistiven Schaltverhaltens in VCM-RRAM, die mittels Atomlagenabscheidung (ALD) hergestellt wurden, durch Variation der Prozesschemie und -parameter. Mithilfe von In-situ-Messtechnik und elektrischer Charakterisierung werden Korrelationen zwischen den Herstellungsparametern und dem Schaltverhalten (Programmierspannung, Ein/Aus-Verhältnis, Retention und Lebensdauer) ermittelt. Hierfür werden anfangs kommerzielle Präkursoren und Standardelektroden (TiN, TaN, Pt) verwendet, während spätere Experimente neuartige Päkursoren einbeziehen, die im Rahmen einer Zusammenarbeit mit dem Lehrstuhl für Materialchemie entwickelt und bereitgestellt werden. In einer zweiten Projektphase wird die Analyse auf Elektrodeneffekte und die Einbindung von Dotierstoffen ausgeweitet, um die Leistung des RRAM-Stapels zu optimieren.