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Atomic layer deposition of tantalum oxide thin films using the precursor tert-butylimido-tris-ethylmethylamido-tantalum and water: Process characteristics and film properties
Typ der Veröffentlichung
Zeitschriftenaufsatz
Veröffentlicht in
Thin Solid Films
Schlagwörter
Tantalum oxide (Ta2O5), Atomic layer deposition (ALD), Thin film, High-k dielectric, Metal-insulator-semiconductor capacitor, Dielectric constant, Equivalent oxide thickness
Jahrgang/Erscheinungsjahr
2017
Band/Vol.
627
Seiten
94-105
Referiert
Ja
Open Access
Nein
Url/Urn/Doi
10.1016/j.tsf.2017.02.047
Zugeordnete Forschungsschwerpunkte
- * Atomic Layer Deposition (ALD)
Berichtsjahr
2017
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