Publications 2012
Demonstration of 22nm SRAM features with patternable hafnium oxide-based resist material using electron-beam lithography
Typ der Veröffentlichung
Konferenzbeitrag
Veröffentlicht in
Proc. SPIE 8325, Advances in Resist Materials and Processing Technology XXIX, 832518 (19 March 2012), San Jose, California, USA, February 2012
Schlagwörter
inorganic resist, XE15IB, e-beam direct write (EBDW), direct patternable, spin on hard mask, high resolution, 22 nm SRAM feature
Jahrgang/Erscheinungsjahr
2012
Referiert
Ja
Open Access
Nein
ISBN
978-0-8194-8981-4
Url/Urn/Doi
Berichtsjahr
2012
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