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Effect of nitrogen content on the degradation mechanisms of thin Ta–Si–N diffusion barriers for Cu metallization
Typ der Veröffentlichung
Zeitschriftenaufsatz
Veröffentlicht in
Thin Solid Films 497 (2006) in press
Jahrgang/Erscheinungsjahr
2005
Vermerk
Neuerscheinung
Referiert
Nein
Zugeordnete Forschungsschwerpunkte
- * Kupfermetallisierung/Diffusionsbarrieren/Isolatoren mit niedriger und hoher Dielektrizitätskonstante
Berichtsjahr
2005
Export
Kategorien
Journal | Konferenzen | Bücher | Patente