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High Density ALD Titanium Nitride (TiN) layer etch using Argon/NF3/Cl2 Mixtures Utilizing a Remote Plasma Source (RPS) for ALD/CVD Chamber Clean Application
Typ der Veröffentlichung
Konferenzbeitrag
Veröffentlicht in
AVS 5th International Conference on Atomic Layer Deposition, San Jose, 8.-10.08.2005
Jahrgang/Erscheinungsjahr
2005
Vermerk
Neuerscheinung
Referiert
Nein
Zugeordnete Forschungsschwerpunkte
- * Plasmagestützte Abscheidung und Strukturierung von dünnen Schichten
Berichtsjahr
2005
Export
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Journal | Konferenzen | Bücher | Patente