Veröffentlichte Journale
Molecular beam deposited zirconium dioxide as a hiph-k dielectric for future GaN based power devices
Typ der Veröffentlichung
Zeitschriftenaufsatz
Veröffentlicht in
J. Vac. Sci. Technol. A31, 03C111 (2013)
Schlagwörter
-
Jahrgang/Erscheinungsjahr
2013
Referiert
Ja
Open Access
Nein
Url/Urn/Doi
10.1116/1.4793764
Berichtsjahr
2013
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