Zur großflächigen Abscheidung von amorphem hydrogenisierten Silizium (a-Si:H) wird bisher überwiegend die kapazitiv gekoppelte plasmaunterstütze chemische Gasphasenabscheidung mit einer Anregungsfrequenz von 13,56 MHz (RF-PECVD) verwendet. Aufgrund der guten erzielbaren Schichteigenschaften mittels RF-PECVD ist dies das häufigste Verfahren insbesondere für dünne, qualitativ hochwertige a-Si:H Schichten auf planaren Substraten.

In diesem Vorhaben sollen hingegen extrem dicke (> 30µm) a-Si:H Schichten auf planaren und nicht-planaren Substraten mit einer Abscheiderate größer als 5 µm/h abgeschieden werden. Dazu wird in diesem Vorhaben ein alternatives plasmaunterstütztes Beschichtungsverfahren eingesetzt: die mikrowellenunterstützte chemische Gasphasenabscheidung mit einer Plasmaanregungsfrequenz von 2,45 GHz (MW-PECVD). Der prinzipielle Vorteil der Mikrowellenanregung gegenüber anderen Entladungstypen ist, dass sie eine Plasmaquelle darstellt und damit das Substrat keine direkt am Stromfluss beteiligte Elektrode bildet. Des Weiteren sind mit der MW-PECVD, durch höhere Elektronenenergien und Elektronen-sowie Ionenkonzentrationen, auch höhere Abscheideraten erzielbar.